内閣総理大臣賞
製造・生産プロセズ部門

究極の小型・高効率を実現した世界初のＧａＮパワーコンディショナの開発

受賞者 井手　耕三　：他６名
所属企業等 株式会社安川電機
所在 福岡県行橋市

案件概要

  • 量産の太陽光発電用パワーコンディショナとして、世界で初めてGaN（窒化ガリウム）パワーデバイスを搭載。
    回路及び制御技術の工夫により、従来品（Si系IGBT）では両立が困難であった、高効率・小型・静音（電力変換効率は 98％、サイズは従来比60％、25dB）を実現。
    GaNパワーデバイスの活用技術を示すことで、他の産業機器，民生機器への波及効果が期待できる。
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