国内拠点維持が難しくなっている半導体業界において、従来では考えられなかったデバイス構造・プロセス設計により、競争力の高い領域を確立。 日本で生産するだけでなく、技術流出防止の観点から地元九州の企業と協力した生産設備の内製化、開発拠点の併設など裾野の広い国内生産活動となっている点を高く評価。

配線層と受光部の配置を逆転させた新構造の半導体デバイスを開発し、イメージセンサー性能が飛躍的に向上。配線をフォトダイオードの裏側に配置することで光路障害を無くし、画素サイズの縮小により感度やノイズなどの特性が犠牲になるトレードオフ問題を抜本的に解決。低消費電力の高画質高性能センサーの量産化は、スマートフォン市場の爆発的な拡大にも貢献。